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處理的光刻過(guò)程中，每次曝光時(shí)掩模的圖案與光刻膠面上的圖案要精確的對(duì)準(zhǔn)套合，這就像套色彩印一樣，否則就會(huì)使圖形移位，導(dǎo)致光刻精度降低甚至失敗。④曝光過(guò)程中入射光線(xiàn)在掩模邊緣的衍射和反射，在襯底表面的反射和散射都將導(dǎo)致分辨率的降低。⑤光刻膠膜中存在的雜質(zhì)微粒和針孔都將使曝光光線(xiàn)產(chǎn)生衍射和散射，使光刻精度降低。⑥掩模板本身的精度和質(zhì)小型噴霧干燥機(jī)量當(dāng)然也直接影響和限制了光刻圖形的精度和質(zhì)量�！ ∵M(jìn)行曝光的方式主要有接觸式曝光、接近式曝光、等倍折射式曝光、縮小投影曝光、等倍全
反射式曝光等。其中接觸式曝光是用得最早和最廣泛的一種曝光，即用一塊掩模直接覆蓋在光刻膠層面上，兩者緊密接觸，然后進(jìn)行曝光。這種方法設(shè)備簡(jiǎn)單，得到的圖形尺寸變換差最小，分辨率高，對(duì)曝光面積大小沒(méi)有太大限制。但因掩模與光刻膠面直接緊密接觸。因反復(fù)使用造成的機(jī)械磨損較大，使后來(lái)的圖形精度下降，掩模本身的使用壽命較短，對(duì)光刻膠膜的平整性和強(qiáng)度要求也較高。接近式曝光則是從接觸式曝光發(fā)展而來(lái)的，曝光時(shí)掩模不與光刻膠面直接接觸，而是相隔一個(gè)很近的距離并保持平行，然后利用高度平行的光線(xiàn)進(jìn)行曝光。這種接近式曝光解決了因掩模板與光刻膠面緊貼而造成的磨損和玷污，提高了掩模的使用壽命，但圖像的分辨率和精度亦比接觸式曝光有所降低。這兩種曝光方式都是使照射光通過(guò)掩模后直
接照射在光刻膠層面上的，而其余的幾種曝光方式則是依靠光學(xué)系統(tǒng)，把掩模上的圖案造成像，再把這個(gè)像投影到光刻膠膜上，使之曝光的。因而前兩者成為非成像曝光方式，后面幾種稱(chēng)為成像曝光方式�！ ∑毓馑玫墓庠�，目前廣泛使用的仍是可見(jiàn)光和紫外光。但隨光刻精度要求的不斷提高，為克服照射光本身的衍射、反射等造成的缺點(diǎn)，人們正在研究開(kāi)發(fā)應(yīng)用遠(yuǎn)紫外光、Ｘ射線(xiàn)、電子束、離子束等作為曝光用的光源。 �。担@影 經(jīng)曝光后，光致抗蝕劑層中一部分發(fā)生了光交聯(lián)或光降解，因而使其溶解性發(fā)生了變化。選擇適當(dāng)?shù)娜軇压饪棠z層中可溶性部分溶解掉，使不溶性部分保留下來(lái)，這就在光刻膠層上顯示出了與掩模相應(yīng)的圖案，或者說(shuō)把掩模上的圖案復(fù)制到了光致抗蝕劑層上來(lái)。這一步就稱(chēng)為顯影，這是從普通照相術(shù)中引用過(guò)來(lái)的術(shù)語(yǔ)。顯影這步的關(guān)鍵在于選擇適當(dāng)?shù)娘@影液、顯影溫度和顯影時(shí)間。這三個(gè)因素是彼此關(guān)聯(lián)，相互影響的，而且隨光刻膠的種類(lèi)、特性及膠層的厚度不同應(yīng)有所改變的，一般需通過(guò)條件試驗(yàn)摸索出來(lái)。
顯影以后需進(jìn)行漂洗，把殘留在膠層表面的顯影液漂洗干凈。良好的漂洗 第二講 光刻技術(shù)和光致抗蝕劑３９９ 還能消除在顯影過(guò)程中光刻膠的溶脹和形變，從而改善成像的精度。 �。叮畧�(jiān)膜 經(jīng)過(guò)顯影后，不溶性的光刻膠部分雖然保留了下來(lái)，但由于顯影液的浸泡而變軟，甚至有些溶脹和微小變形，膠層與基材間的粘著力也降低了。因而需要在１８０～２００℃溫度下烘烤３０ｍｉｎ左右，把滲入到膠層中的微量顯影液或水分趕走。使光刻膠層上的圖形恢復(fù)原來(lái)的尺寸。并使光刻膠本身進(jìn)一步熱交聯(lián)，提高光刻膠本身的強(qiáng)度和耐腐蝕性。同時(shí)也改善光刻膠與襯底間的粘著強(qiáng)度。這一步稱(chēng)為堅(jiān)膜，也稱(chēng)為后烘�！ �(jiān)膜時(shí)應(yīng)注意控制合適的溫度和時(shí)間。若堅(jiān)膜溫度太低，時(shí)間過(guò)短，則膠膜沒(méi)有烘透，膜不堅(jiān)固，腐蝕時(shí)易產(chǎn)生脫膠現(xiàn)象。若堅(jiān)膜溫度過(guò)高，時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，膠膜會(huì)因熱膨脹而產(chǎn)生翹曲和剝落，腐蝕時(shí)亦會(huì)造成鉆蝕或脫膠。堅(jiān)膜最好采用緩慢升溫和自然冷卻的烘烤過(guò)程。對(duì)于腐蝕時(shí)間較長(zhǎng)的厚膜刻蝕，可在腐蝕一半后再進(jìn)行一次堅(jiān)膜后再腐蝕，以提高膠膜的強(qiáng)度和抗蝕力�！ 。罚g刻 蝕刻又稱(chēng)腐蝕，是光刻技術(shù)中關(guān)鍵的一步。
前面所述各步都是為這一步做準(zhǔn)備，是為這一步服務(wù)的。光刻技術(shù)的目的就是要在被加工的襯底材料（如硅片）表面刻制出指定的圖案，以便進(jìn)行后道加工，而這種刻制工作是通過(guò)選擇性腐蝕來(lái)進(jìn)行的，利用光致抗蝕劑的抗腐蝕作用，可以保護(hù)襯底材料不受腐蝕。通過(guò)前面述及的各步，人們已經(jīng)在需刻蝕的基片表面的光致抗蝕劑層上成功地制得了特定的圖案�，F(xiàn)在基片表面一部分區(qū)域中有光致抗蝕劑保護(hù)的，而其余部分則是沒(méi)有抗蝕劑保護(hù)的。選擇某種合適的腐蝕劑，能腐蝕基片材料，但對(duì)抗蝕劑不起作用，把經(jīng)顯影、堅(jiān)膜后的基片置于這種腐蝕液中，就可實(shí)現(xiàn)選擇性的腐蝕，把抗蝕劑層上的圖案復(fù)制到基片上。這一步就稱(chēng)為蝕刻�！ 「g的關(guān)鍵首先在于選擇合適的腐蝕劑。腐蝕劑必須能對(duì)被蝕刻材料進(jìn)行腐蝕，但對(duì)抗蝕劑不起作用。這是最基本的必要
